EUVとArF液浸の加工精度の違い

半導体露光装置の最大手ASMLがSEMICON West 2015において、EUV露光装置の開発についてArF液浸との比較を中心に述べた講演についての解説記事です。

ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表（1）～ArF液浸の限界

https://eetimes.jp/ee/articles/1508/21/news059.html

実際の仕上がりパターンを比較してみると、ここまで違うか！というくらい精度が違います。加工精度が良くなることで同じ世代のプロセスでもデザインルールをより積極的なものにできるはずなので、量産時の歩留まりやスループットだけでなく、設計者にとってもEUVの方が嬉しいことが多そうです。莫大な投資が必要になりますが、それをカバーできるほどの開発コスト・量産コスト削減につながることを期待してしまいますね。

ところで、最近ナノインプリントの話を聞かなくなりましたが、Canonはどんな感じなんでしょうか…
このままいくと順当にEUVが次世代露光装置になってしまいますが、そろそろ安く高精度な別の方式が出てきてほしいところです。

—2015.09.05追記—
Canonの講演もあったみたいですね。とはいえ相変わらずプロセス世代が遅れているので頑張って追い越してもらいたいところです。装置の低コスト化が進めば先端プロセスへの投資もどんどん活発になると思うので。